TY - PAT
T1 - Processo de utilização de papel a base de fibras celulósicas como suporte físico e meio armazenador de cargas eléctricas em transístores de efeito de campo com memória auto-sustentáveis usando óxidos semicondutores activos
AU - Martins, Rodrigo Ferrao De Paiva
AU - Fortunato, Elvira Maria Correia
AU - Pereira, Luis Miguel Nunes
AU - Barquinha, Pedro Miguel Candido
AU - Correia, Nuno Filipe De Oliveira
PY - 2009/9/21
Y1 - 2009/9/21
N2 - A presente invenção consiste na utilização de material celulósico à base de fibras celulósicas como suporte físico e meio armazenador ou indutor de armazenamento de cargas eléctricas em transístores de efeito decampo singulares ou complementares integrados com memória auto-sustentáveis usando óxidos semicondutores activos ou semicondutores orgânicos para o fabrico das regiões de canal dreno e fonte, respectivamente tipo p ou tipo n nas formas monolíticas ou híbridas.
AB - A presente invenção consiste na utilização de material celulósico à base de fibras celulósicas como suporte físico e meio armazenador ou indutor de armazenamento de cargas eléctricas em transístores de efeito decampo singulares ou complementares integrados com memória auto-sustentáveis usando óxidos semicondutores activos ou semicondutores orgânicos para o fabrico das regiões de canal dreno e fonte, respectivamente tipo p ou tipo n nas formas monolíticas ou híbridas.
M3 - National Final Application
M1 - PT103999
Y2 - 2008/03/20
ER -