Dispositivo semicondutor eletrônico baseado em de óxidos de cobre e níquel e gálio-estanho-zinco-cobre-titânio tipo p e n, as suas aplicações e respectivo processo

Elvira Maria Correia  Fortunato; Rodrigo Ferrão De Paiva  Martins

Dispositivo semicondutor eletrônico baseado em de óxidos de cobre e níquel e gálio-estanho-zinco-cobre-titânio tipo p e n, as suas aplicações e respectivo processo

Elvira Maria Correia Fortunato (Inventor), Rodrigo Ferrão De Paiva Martins (Inventor)

Research output: Patent › Regional/Other National Application

Original language	Portuguese
Patent number	BRPI0721193
IPC	H01L 21/ 363 A I
Priority date	5/02/07
Filing date	5/08/08
Publication status	Published - 21 Jun 2016

Cite this

@misc{45b9fa2c983f4a528a9157e0a57b17ea,

title = "Dispositivo semicondutor eletr{\^o}nico baseado em de {\'o}xidos de cobre e n{\'i}quel e g{\'a}lio-estanho-zinco-cobre-tit{\^a}nio tipo p e n, as suas aplica{\c c}{\~o}es e respectivo processo",

author = "Fortunato, {Elvira Maria Correia} and Martins, {Rodrigo Ferr{\~a}o De Paiva}",

year = "2016",

month = jun,

day = "21",

language = "Portuguese",

type = "Patent",

note = "BRPI0721193; H01L 21/ 363 A I",

}

TY - PAT

T1 - Dispositivo semicondutor eletrônico baseado em de óxidos de cobre e níquel e gálio-estanho-zinco-cobre-titânio tipo p e n, as suas aplicações e respectivo processo

AU - Fortunato, Elvira Maria Correia

AU - Martins, Rodrigo Ferrão De Paiva

PY - 2016/6/21

Y1 - 2016/6/21

M3 - Regional/Other National Application

M1 - BRPI0721193

Y2 - 2008/08/05

ER -