Abstract
본 발명은 감지 전계 효과 소자(100)로서, 반도체 채널(110); 상기 반도체 채널(110)에 연결된 소스 전극(120); 상기 반도체 채널(110)에 연결된 드레인 전극(130)으로서, 상기 반도체 채널(110)은 상기 소스 전극(120) 및 상기 드레인 전극(130) 사이에 개재되는(interposed), 드레인 전극(130); 게이트 전극(140); 및 상기 게이트 전극(140) 및 상기 반도체 채널(110) 사이에 개재되는 유전층(150)을 포함하며, 상기 반도체 채널(110)은 층(layer)이며, 그리고 비정질 산화물(amorphous oxide)로 이루어지며, 상기 센서 수단(170, 171, 172, 173, 174, 175, 175)은 상기 센서 수단(170, 171, 172, 173, 174, 175, 175)의 전기적 상태를 변화시킬 수 있는 감지 이벤트 발생시에 상기 게이트 전극(140)과 상기 소스 전극(120) 사이의 전압을 변화시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 감지 전계 효과 소자(100)에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 전계 효과 소자(100)를 제조하기 위한 방법 및 센서에 관한 것이다.
| Translated title of the contribution | SENSITIVE FIELD EFFECT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
|---|---|
| Original language | Korean |
| Patent number | KR20190105566 |
| IPC | H01L 29/ 786 A I, G01N27/414, G01T1/24,G01T1/36 |
| Priority date | 14/11/16 |
| Filing date | 8/05/19 |
| Publication status | Published - 17 Sept 2019 |