感応性電界効果デバイス及びその製造方法

本発明は、半導体チャネル（１１０）と、前記半導体チャネル（１１０）に接続されたソース電極（１２０）と、前記半導体チャネル（１１０）が前記ソース電極（１２０）とドレイン電極（１３０）の間に介在するように、前記半導体チャネル（１１０）に接続されたドレイン電極（１３０）と、ゲート電極（１４０）と、前記ゲート電極（１４０）と前記半導体チャネル（１１０）との間に介挿された誘電体層（１５０）と、を備える感応性電界効果デバイス（１００）に関し、前記半導体チャネル（１１０）は層であって、アモルファス酸化物からなり、且つ前記センサ手段（１７０，１７１，１７２，１７３，１７４，１７５）は、前記ゲート電極（１４０）と前記ソース電極（１２０）との間の電圧をそれらの電気的状態を変化させ得るセンシング事象時に変化させるように構成されている、ことを特徴とする。