Abstract
本発明は、半導体チャネル(110)と、前記半導体チャネル(110)に接続されたソース電極(120)と、前記半導体チャネル(110)が前記ソース電極(120)とドレイン電極(130)の間に介在するように、前記半導体チャネル(110)に接続されたドレイン電極(130)と、ゲート電極(140)と、前記ゲート電極(140)と前記半導体チャネル(110)との間に介挿された誘電体層(150)と、を備える感応性電界効果デバイス(100)に関し、前記半導体チャネル(110)は層であって、アモルファス酸化物からなり、且つ前記センサ手段(170,171,172,173,174,175)は、前記ゲート電極(140)と前記ソース電極(120)との間の電圧をそれらの電気的状態を変化させ得るセンシング事象時に変化させるように構成されている、ことを特徴とする。
Translated title of the contribution | SENSITIVE FIELD EFFECT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
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Original language | Japanese |
Patent number | JP2020513684 |
IPC | H01L 29/ 786 A I, H01L27/146, G01N27/00, H01L27/144 |
Priority date | 14/11/16 |
Filing date | 8/05/19 |
Publication status | Published - 14 May 2020 |