TY - PAT
T1 - ПРОЦЕСС СОЗДАНИЯ И ИСПОЛЬЗОВАНИЯ БУМАГИ НА ОСНОВЕ ВОЛОКОН ИЗ НАТУРАЛЬНОЙ ИЛИ СИНТЕТИЧЕСКОЙ ЦЕЛЛЮЛОЗЫ ИЛИ ИХ КОМБИНАЦИИ В КАЧЕСТВЕ ФИЗИЧЕСКОЙ ОПОРЫ И НОСИТЕЛЯ, СОХРАНЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЗАРЯДЫ В САМОСТОЯТЕЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ, ИМЕЮЩИХ ПЕРЕХОД С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ, СНАБЖЕННЫХ ПАМЯТЬЮ, В КОТОРЫХ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ОКСИДЫ АКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
AU - Martins, Rodrigo
AU - Fortunato, Elvira Maria Correia
AU - Pereira, Luis Miguel Nunes
AU - Barquinha, Pedro Miguel Cândido
AU - Correia, Nuno Filipe de Oliveira
PY - 2012/4/27
Y1 - 2012/4/27
N2 - 1. Способ изготовления активного полевого полупроводникового электронного или оптоэлектронного устройства с энергонезависимой памятью, состоящий из следующих этапов: ! а) в состав диэлектрика указанного устройства включают бумагу (2), содержащую натуральные волокна на основе целлюлозы, синтетические волокна или их сочетания, при этом указанные волокна остаются дискретными и соединены химически или механически; ! b) на указанную бумагу наносят слой (1) активного полупроводника толщиной по меньшей мере в десять раз меньше толщины волоконной структуры указанной бумаги. ! 2. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что он дополнительно содержит этап, на котором величинами электроотрицательности и диэлектрической постоянной бумаги управляют с использованием спонтанной электрической поляризации волокон, привнесения статических ионных электрических зарядов посредством смол или клеящих веществ, добавления катионных частиц, например, алюминия, регулировки плотности бумаги или сочетания этих способов. ! 3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит этап изготовления бумаги, на котором указанные волокна соединяют в слои с использованием по меньше мере одного связующего вещества. ! 4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит на этапе изготовления бумаги шаг, на котором указанные волокна соединяют в слои посредством механического сжатия. ! 5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что указанная пленка (2) выполняет также функцию подложки указанного устройства, обеспечивая таким образом его автономность. ! 6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что полупроводник н�
AB - 1. Способ изготовления активного полевого полупроводникового электронного или оптоэлектронного устройства с энергонезависимой памятью, состоящий из следующих этапов: ! а) в состав диэлектрика указанного устройства включают бумагу (2), содержащую натуральные волокна на основе целлюлозы, синтетические волокна или их сочетания, при этом указанные волокна остаются дискретными и соединены химически или механически; ! b) на указанную бумагу наносят слой (1) активного полупроводника толщиной по меньшей мере в десять раз меньше толщины волоконной структуры указанной бумаги. ! 2. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что он дополнительно содержит этап, на котором величинами электроотрицательности и диэлектрической постоянной бумаги управляют с использованием спонтанной электрической поляризации волокон, привнесения статических ионных электрических зарядов посредством смол или клеящих веществ, добавления катионных частиц, например, алюминия, регулировки плотности бумаги или сочетания этих способов. ! 3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит этап изготовления бумаги, на котором указанные волокна соединяют в слои с использованием по меньше мере одного связующего вещества. ! 4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит на этапе изготовления бумаги шаг, на котором указанные волокна соединяют в слои посредством механического сжатия. ! 5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что указанная пленка (2) выполняет также функцию подложки указанного устройства, обеспечивая таким образом его автономность. ! 6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что полупроводник н�
M3 - Regional/Other National Application
M1 - RU2010142162
Y2 - 2009/03/20
ER -